[发明专利]用于等离子体化学气相沉积反应器的喷淋板电极有效
申请号: | 200810178790.7 | 申请日: | 2008-12-01 |
公开(公告)号: | CN101463473A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | R·纳卡诺;H·弗库达 | 申请(专利权)人: | ASM日本公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;B08B7/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 用于等离子体化学气相沉积(CVD)的方法与装置。特别是,具有清洗功能的等离子体CVD装置具有改进的喷淋板,该喷淋板的孔具有相同的横截面面积以产生高清洗速度。所述喷淋板可以用作电极,并且可以具有连接到电源的导电延伸部。清洗气体和反应气源从中流过的喷淋板可以包括孔加工表面区域,该孔加工表面区域的尺寸与传统用于确保沉积过程期间良好的膜厚均匀性的区域尺寸不同。所述孔加工表面区域可以基于待处理衬底的尺寸或喷淋板的整个表面的尺寸而变化。 | ||
搜索关键词: | 用于 等离子体 化学 沉积 反应器 喷淋 电极 | ||
【主权项】:
1. 一种处理晶片后利用远程等离子体放电装置清洗等化学气相沉积处理腔室的方法,所述方法包括:从所述腔室中的基座中移除经处理的晶片;将清洗气体供给到远程等离子体放电装置;利用等离子体能量激活远程等离子体放电装置中的所述清洗气体;以及将激活后的清洗气体传送到所述腔室内并且通过面向所述基座的喷淋板的多个孔,所述孔完全通过所述喷淋板延伸,所述孔每个具有相同的横截面面积,其中具有所有所述孔的所述喷淋板的最小圆形区域的直径是所述晶片的直径的0.95到1.05倍。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的