[发明专利]具有电容器元件的半导体器件无效
| 申请号： | 200810178821.9 | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101447503A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 井上显;井上智子 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/28 | 分类号： | H01L27/28;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有电容器元件的半导体器件，包括：电容器元件，其具有提供在半导体衬底上方的平板型下电极、提供在下电极上方并且与之平行的平板型TiN膜和提供在下电极和TiN膜之间的电容器膜；以及第一Cu栓塞，其与下电极的底表面接触，并且由金属材料构成，其中该电容器膜具有包含有机分子作为成分的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电容器 元件 半导体器件 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括：电容器元件，所述电容器元件包括：提供在半导体衬底上方的平板型下电极，提供在所述下电极上方并且与之平行的平板型上电极，和提供在所述下电极和所述上电极之间的电容器膜；以及第一接触栓塞，所述第一接触栓塞与所述下电极的底表面接触，并且由金属材料构成，其中所述电容器膜具有包含有机分子作为成分的膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
