[发明专利]GaAs半导体衬底、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及制造方法无效
| 申请号： | 200810178882.5 | 申请日： | 2008-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101452894A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 西浦隆幸 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/02;H01L21/302;H01L21/306;H01L33/00;H01S5/00;C30B29/42 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及GaAs半导体衬底及其制造方法，还涉及包括GaAs半导体衬底的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法。所述GaAs半导体衬底包括相对于(100)面(10a)具有6°～16°倾斜角的主表面(10m)，在该主表面(10m)上的氯原子浓度不超过1×1013cm-2。所述GaAs半导体制造方法包括抛光GaAs半导体晶片的抛光步骤，清洁经抛光的GaAs半导体晶片的第一次清洁步骤，对经历过第一次清洁的GaAs半导体晶片的厚度和主表面平整度进行检查的检查步骤，以及用不同于盐酸的酸和碱中的一种对检查过的GaAs半导体晶片进行清洁的第二次清洁步骤。通过上述GaAs半导体衬底，即使当在主表面上生长至少一层含至少三种元素的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层时，仍能获得具有高性能的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 半导体 衬底 化合物 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. GaAs半导体衬底，其包括相对于(100)面具有6°～16°倾斜角的主表面，其中在所述主表面上的氯原子的浓度不超过1×1013cm-2。
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