[发明专利]发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810178899.0 | 申请日： | 2008-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101453098A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 川上俊之;川口佳伸;神川刚 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/028;H01S5/343;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛 青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光元件及其制造方法。在使用具有六方晶体结构的氮化物半导体的激光芯片1中，-c面被用作第一谐振器端面A，其为通过其光被发射得激光芯片1侧。在第一谐振器端面A上，也就是在-c面上，形成端面保护膜14。这确保在第一谐振器端面A和端面保护膜14之间稳固地接合，并减轻第一谐振器端面A的退化。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种发光元件，包括：基板；由具有六方晶体结构的氮化物半导体构成的分层结构，该氮化物半导体在基本垂直于c轴的方向上堆叠在该基板上；形成在其上出现构成该分层结构的氮化物半导体的N极表面的第一端面上的第一保护膜；形成在与第一端面相对的第二端面上的第二保护膜，该第二保护膜具有比第一保护膜高的反射率。
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