[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理装置的控制方法无效

申请号：	200810179074.0	申请日：	2006-12-05
公开（公告）号：	CN101423928A	公开（公告）日：	2009-05-06
发明（设计）人：	冈信介	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	C23C16/00	分类号：	C23C16/00;C23C16/44;H01L21/00;H01L21/02;H01L21/31;H05H1/00
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人：	龙淳
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明提供一种等离子体处理装置，在腔室内壁表面上形成厚度均匀的覆盖膜。微波等离子体处理装置(100)的腔室(10)，被基座(11)和挡板(18)分隔为处理室(10u)和排气室(10d)，在对基板G进行成膜处理前，在腔室内壁上形成预涂膜，此时，将基座(11)下降，使得在基座(11)和挡板(18)之间产生间隙S。如此使处理室(10u)和排气室(10d)的压差减小，通过在处理室(10u)和排气室(10d)中使沉积自由基处于几乎相同的状态，减小处理室(10u)和排气室(10d)的成膜速度差，由此能够以均匀的膜质量，形成厚度更加相等的处理室(10u)和排气室(10d)的预涂膜。
搜索关键词：	等离子体处理装置控制方法
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【主权项】：

1. 一种等离子体处理装置，其具有一个腔室，其中，该腔室被载置台和挡板分隔为对被处理体实施等离子体处理的处理室和排放出气体的排气室，其特征在于：在对所述腔室进行清洗之后，向所述排气室供给自由基，以促进在所述腔室的内壁表面上形成预涂膜。

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