[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，即使不延长在进行光退火时的半导体基板的升温时间，也能够降低温度不均，从而能够对提高电路性能做出贡献。一种经过用主波长在1.5μm以下的照射光的光退火工序的半导体装置，具有：电路图形区域(20)，其在半导体基板上形成，具有与电路工作有关的集成电路图形(21、22)；以及虚设图形区域(30)，其在基板上与电路图形区域(20)相离开形成，以主波长的0.4倍以下的间距周期性地配置有虚设栅极图形(31)，所述虚设栅极图形(31)与集成电路图形中使用的栅极图形(21)具有相同结构且与电路工作无关。

主权项

1. 一种半导体装置，其经过用主波长在1.5μm以下的照射光的光退火工序，其特征在于，具有：电路图形区域，其在半导体基板上形成，具有与电路工作有关的集成电路图形；以及虚设图形区域，其在所述基板上与所述电路图形区域相离开形成，以所述主波长的0.4倍以下的间距周期性地配置有虚设栅极图形，所述虚设栅极图形与所述集成电路图形中使用的栅极图形具有相同结构且与电路工作无关。