[发明专利]薄膜晶体管、显示装置以及这些的制造方法有效
| 申请号： | 200810179744.9 | 申请日： | 2008-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101452961A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种电特性优越的薄膜晶体管、及具有该薄膜晶体管的显示装置、和这些的制造方法。在其中重叠有微晶锗膜、接触于微晶锗膜的一个面的栅极绝缘膜以及栅电极的薄膜晶体管、以及具有该薄膜晶体管的显示装置中，在微晶锗膜的另一个面上形成有缓冲层。通过将微晶锗膜用于沟道形成区域，可以制造电场效应迁移率及导通电流都高的薄膜晶体管。此外，通过在用作沟道形成区域的微晶锗膜以及源区域或漏区域之间设置缓冲层，可以制造截止电流低的薄膜晶体管。就是说，可以制造电特性优越的薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示装置 以及 这些 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种薄膜晶体管，包括：设置在衬底上的微晶锗膜；中间夹着栅极绝缘膜与所述微晶锗膜相邻地设置的栅电极；以及以与所述栅电极及所述栅极绝缘膜相反的方式与所述微晶锗膜的表面相邻地设置的缓冲层，其中，所述缓冲层包含非晶硅。
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