[发明专利]输出驱动器中的转换速率控制无效
| 申请号： | 200810179750.4 | 申请日： | 2008-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101453193A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 黄夏秀;方维贤;江天佑;孙静 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社;松下半导体亚洲私人有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/00 | 分类号： | H03F1/00;H03F1/26;H03F3/217 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王 玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 引入一种在开关电路的输出驱动器中的转换速率控制电路，以防止电源地欠冲。首先，对下功率晶体管的栅极电容进行快速放电，以确保输出信号的操作。然后，对下功率晶体管的栅极电容进行缓慢放电，以限制输出转换速率。当电源地电平低于公共地时，下功率晶体管的栅极电容进一步缓慢放电。通过上述控制，当下功率晶体管几乎完全截止时，降低下功率晶体管的栅极电压转换速率。因此，避免了电源地的欠冲。也可以在开关电路的输出驱动器中得到相似的转换速率控制电路，以防止PVCC过冲。 | ||
| 搜索关键词： | 输出 驱动器 中的 转换 速率 控制 | ||
【主权项】：
1. 一种音频功率放大器中的用于下功率晶体管的转换速率受控输出驱动器，包括：P型MOSFET，通过对功率晶体管的栅极电容进行充电来使所述功率晶体管导通；第一N型MOSFET，尺寸较小，并且为所述功率晶体管的所述栅极电容提供无中断的放电路径；第二N型MOSFET，尺寸足够大，以通过对所述栅极电容进行放电来使所述功率晶体管截止；第一开关，其关闭降低了来自所述第二N型MOSFET的路径的所述栅极电容的放电速度；第二开关，其关闭进一步降低了来自所述第二N型MOSFET的路径的所述栅极电容的放电速度；输出电平检测器，控制所述第一开关；PGND电平检测器，控制所述第二开关。
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