[发明专利]抗反射涂层无效
| 申请号： | 200810179929.X | 申请日： | 2008-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101441415A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | R·N·弗尔蒂斯;M·L·奥尼尔;A·D·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | G03F7/09 | 分类号： | G03F7/09 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘 玥;韦欣华 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在基质中形成特征的方法，其包括步骤：在基质上形成介电层；在介电层上形成抗反射涂层；在抗反射涂层上形成光刻胶图案；穿过图案化的光刻胶蚀刻介电层；和除去抗反射涂层和光刻胶，其中抗反射涂层为由式SivOwCxNuHyFz表示的薄膜，其中v+w+x+u+y+z＝100％，v为1-35原子％，w为1-40原子％，x为5-80原子％，u为0-50原子％，y为10-50原子％以及z为0-15原子％，其中抗反射涂层是通过组合物化学气相沉积形成的，其中所述组合物包含(1)从有机硅烷、有机硅氧烷和氨基硅烷组成的组中选择的至少一种前体；和(2)烃，并且其中所述烃基本上不从抗反射涂层中除去。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 涂层 | ||
【主权项】：
1、一种在基质中形成特征的方法，其包括以下步骤：在基质上形成介电层；在介电层上形成抗反射涂层；在抗反射涂层上形成光刻胶图案；通过图案化的光刻胶蚀刻介电层；和除去抗反射涂层和光刻胶，其中抗反射涂层为由式SivOwCxNuHyFz表示的薄膜，其中v+w+x+u+y+z＝100％，v为1-35原子％，w为1-40原子％，x为5-80原子％，u为0-50原子％，y为10-50原子％以及z为0-15原子％，其中抗反射涂层是通过组合物化学气相沉积形成的，其中组合物包含(1)从有机硅烷、有机硅氧烷和氨基硅烷组成的组中选择的至少一种前体；和(2)烃，并且其中所述烃基本上不从抗反射涂层中除去。
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