[发明专利]一种具多层保护层的有机半导体元件及其制作方法无效

专利信息
申请号: 200810180223.5 申请日: 2005-04-14
公开(公告)号: CN101425561A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 谢丞忠;胡堂祥;何家充;李正中 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/40
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁 挥;祁建国
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明涉及一种具多层保护层的有机半导体元件,包括有:有机薄膜晶体管;第一保护层,以气相沉积方式形成于该有机薄膜晶体管上;及第二保护层,形成于该第一保护层上。还涉及一种具多层保护层的有机半导体元件的制作方法,包括如下步骤:提供一有机薄膜晶体管;以气相沉积方式,形成一第一保护层于该有机薄膜晶体管上;及形成一第二保护层于该第一保护层上。本发明通过将第二保护层形成于以气相沉积方式制作的第一保护层上,形成有机薄膜晶体管的多重保护层,此多重保护层具有良好的均匀性,还可达到保护有机薄膜晶体管的效果,还可利用第二保护层进行液晶的配向,因此可使具有此保护层的有机半导体元件能有更为广泛的应用。
搜索关键词: 一种 多层 保护层 有机半导体 元件 及其 制作方法
【主权项】:
1、一种具多层保护层的有机半导体元件,其特征在于,包括有:一有机薄膜晶体管;一第一保护层,以气相沉积方式形成于该有机薄膜晶体管上;及一第二保护层,形成于该第一保护层上;其中,该第一保护层为无机材料层或有机材料层。
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