[发明专利]溅射装置以及溅射方法

摘要

本发明提供溅射装置以及溅射方法，具体而言提供具备能够在靶表面大范围地发生等离子的磁控电极的磁控溅射装置以及使用该装置的溅射方法。由此，能够实现可在靶表面大范围地发生等离子的磁场形状，提高靶材料的利用效率，并且抑制灰尘和异常放电。磁控电极的磁路(10)从靶(2)的中央部分向外周部分配置有中心垂直磁体(101)、内侧平行磁体(103)、外侧平行磁体(104)以及外周垂直磁体(102)，使内侧平行磁体(103)接近靶(2)。

主权项

1. 一种溅射装置，包括：真空腔；靶，其被配置在所述真空腔内；磁路，其被设置在所述靶的背面一侧，包括垂直磁体组件和平行磁体组件；以及基板保持件，其被配置在所述靶的表面一侧，用于保持基板，其中，所述垂直磁体组件由中心垂直磁体和外周垂直磁体构成，所述垂直磁体组件的任意磁场方向都大致垂直于所述靶表面，并且所述中心垂直磁体与所述外周垂直磁体的磁场方向彼此相反，所述中心垂直磁体设置在所述靶的背面的中央部分，所述外周垂直磁体被设置在所述靶的背面的外周部分，并被设置成包围所述中心垂直磁体的环状，所述平行磁体组件由内侧平行磁体和外侧平行磁体构成，所述平行磁体组件的任意磁场方向都大致平行于所述靶表面，并且所述内侧平行磁体和所述外侧平行磁体的磁场方向相同，所述平行磁体组件都被设置在所述中心垂直磁体和所述外周垂直磁体之间，并被设置成包围所述中心垂直磁体的环状，而且所述内侧平行磁体比所述外侧平行磁体更靠近所述靶的背面的中心一侧配置，在设所述内侧平行磁体与所述靶表面之间的间隔为D1、所述外侧平行磁体与所述靶表面之间的间隔为D2、所述外周垂直磁体与所述靶表面之间的间隔为D3时，具有D1

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