[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200810180591.X | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101447410A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 李来赫 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/28;H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于半导体器件的制造方法简化了用于形成高压器件的氧化膜的工艺，从而降低了高压器件的制造成本和制造时间。该制造方法包括在半导体晶片上方涂覆栅极氧化物材料，在栅极氧化物材料上方涂覆光刻胶材料，在光刻胶材料上实施曝光工艺和第一显影工艺以形成光刻胶图样，实施使用了光刻胶图样的刻蚀工艺以形成栅极氧化膜，以及实施第二显影工艺以去除光刻胶图样。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种方法，包括：在半导体晶片上方涂覆栅极氧化物材料；在所述栅极氧化物材料上方涂覆光刻胶材料；在所述光刻胶材料上实施曝光工艺和第一显影工艺以形成光刻胶图样；实施使用了所述光刻胶图样的刻蚀工艺以形成栅极氧化膜；以及然后实施第二显影工艺以去除所述光刻胶图样。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司，未经东部高科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810180591.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造快闪存储器件的方法
- 下一篇：半导体晶圆的保护带切断方法和保护带切断装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
