[发明专利]膜的形成方法、薄膜晶体管、太阳能电池、制造装置和显示装置无效
| 申请号： | 200810180735.1 | 申请日： | 2008-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101447419A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 冈信介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L31/18;H01L29/786;H01L29/04;H01L31/042;H01L31/0368 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种膜的形成方法、薄膜晶体管、太阳能电池、制造装置和显示装置，其提高形成微晶膜的晶粒之间的横方向的结合强度。在硅基板G上形成栅极氧化膜10后，反复进行用2.0eV电子温度以下的高电子密度等离子体形成微晶硅膜的第一工序、和用比2.0eVd的电子温度高的电子温度的高电子密度等离子体形成超微晶硅膜的第二工序进行成膜。由此，形成微晶硅膜和超微晶硅膜叠层而得的叠层膜20。利用上述方法，能够制造将叠层膜20作为活性层发挥功能的n沟道薄膜晶体管和p沟道薄膜晶体管中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 薄膜晶体管 太阳能电池 制造 装置 显示装置 | ||
【主权项】：
1. 一种膜的形成方法，其是形成用于n沟道薄膜晶体管、p沟道薄膜晶体管和太阳能电池中至少一种的膜的方法，其特征在于，包括：利用规定的电子温度以下的高电子密度等离子体形成微晶硅膜的第一工序；使用比所述规定的电子温度高的电子温度的高电子密度等离子体形成超微晶硅膜的第二工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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