[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

一种半导体器件的制造方法，包括：在硅衬底上依次形成第一膜、第二膜和第三膜；采用包括相移位器的曝光掩膜，通过对光刻胶膜进行曝光和显影，图案化在该第三膜上形成的光刻胶膜；采用该第二膜作为蚀刻停止手段，并以该光刻胶膜作为掩膜，来选择性地干蚀刻该第三膜，从而将该第三膜处理为第一图案；采用该第二膜作为蚀刻停止手段，进一步干蚀刻该第三膜，从而去除该第三膜的一部分，由此将该第三膜处理为第二图案；通过将具有第二图案的该第三膜作为掩膜，图案化该第二膜；和采用已图案化的第二膜作为掩膜，来图案化该第一膜。

主权项

1. 一种半导体器件的制造方法，包括在硅衬底上依次形成第一膜、第二膜和第三膜；在所述第三膜上形成光刻胶膜；采用包括相移位器的曝光掩膜，通过对所述光刻胶膜进行曝光和显影，图案化所述光刻胶膜；采用所述第二膜作为蚀刻停止手段，并以所述光刻胶膜作为掩膜，来选择性地干蚀刻所述第三膜，以将所述第三膜处理为第一图案；采用所述第二膜作为蚀刻停止手段，进一步干蚀刻所述第三膜，以去除所述第三膜的一部分，由此将所述第三膜处理为第二图案；通过将具有所述第二图案的所述第三膜作为掩膜，图案化所述第二膜；和采用已图案化的所述第二膜作为掩膜，图案化所述第一膜，其中所述第二膜为无定形碳膜，且所述第三膜为碳氧化硅膜。