[发明专利]CPP型磁阻效应元件和磁盘装置无效

专利信息
申请号: 200810182384.8 申请日: 2008-11-28
公开(公告)号: CN101447550A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 岛泽幸司;宫内大助;土屋芳弘;町田贵彦;原晋治 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01F10/32;G11B5/39;G11B5/31
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 闫小龙;刘宗杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及CPP型磁阻效应元件和磁盘装置。本发明的CPP结构的磁阻效应元件,具有:磁阻效应部;以及以上下地夹着该磁阻效应部的方式配置形成的第一屏蔽层和第二屏蔽层,在该层叠方向上施加检测电流,构成为磁阻效应部具有:非磁性中间层;和以夹着该非磁性中间层的方式层叠形成的第一铁磁层和第二铁磁层,第一屏蔽层和第二屏蔽层分别通过磁化方向控制单元被控制磁化方向,第一铁磁层和第二铁磁层分别受到第一屏蔽层和第二屏蔽层的磁场作用的影响,被施加作用形成反平行磁化状态,该反平行磁化状态是彼此的磁化方向成为相反方向的状态。能够以简易的构造实现两个铁磁层的反平行的磁化状态,并能够谋求线记录密度的提高。进而,能够谋求可靠性的进一步提高。
搜索关键词: cpp 磁阻 效应 元件 磁盘 装置
【主权项】:
1. 一种电流垂直于平面的结构的磁阻效应元件,具有:磁阻效应部;以及以上下地夹着该磁阻效应部的方式配置形成的第一屏蔽层和第二屏蔽层,在该层叠方向上施加检测电流,其特征在于,上述磁阻效应部具有:非磁性中间层;和以夹着该非磁性中间层的方式层叠形成的第一铁磁层和第二铁磁层,上述第一屏蔽层和第二屏蔽层分别通过磁化方向控制单元被控制磁化方向,上述第一铁磁层和第二铁磁层分别受到上述第一屏蔽层和上述第二屏蔽层的磁场作用的影响,被施加作用形成反平行磁化状态,该反平行磁化状态是彼此的磁化方向成为相反方向的状态。
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