[发明专利]制备碳纳米管膜的方法、碳纳米管膜和碳纳米管元件无效
| 申请号： | 200810182994.8 | 申请日： | 2008-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101748380A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 梶浦尚志;李勇明;张洪亮;刘云圻;曹灵超;魏大程;王钰;黄丽平 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 吴培善 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请涉及制造制备透明导电碳纳米管膜的方法，由所述方法制备的碳纳米管膜，以及包括该碳纳米管膜的碳纳米管元件。与常规通过过滤方法获得的碳纳米管膜相比，使用本申请的方法所获得的碳纳米管膜透明性高并且薄层电阻明显更低。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 纳米 方法 元件 | ||
【主权项】：
制备透明导电碳纳米管膜的方法，其包括以下步骤：(a)在基板上制备均匀催化剂层；和(b)利用化学气相沉积(CVD)法，在得自步骤(a)的均匀催化剂层上生长透明导电碳纳米管膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
