[发明专利]在基材上负载的具有可变厚度的均一b-取向的MFI沸石膜及其制造方法有效
| 申请号： | 200810182998.6 | 申请日： | 2008-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101585545A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 尹景炳;金铉成;帕姆·卡欧·坦·桐 | 申请（专利权）人： | 西江大学校产学协力团 |
| 主分类号： | C01B39/04 | 分类号： | C01B39/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;吴亦华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供具有可变厚度的b-取向MFI沸石膜。MFI沸石膜由其b-轴全部均一地垂直于基材取向的沸石晶体组成。还提供制备所述MFI沸石膜的方法。所述方法包括：在基材上形成具有不同厚度的沸石或沸石类分子筛晶种，并且将接种后的基材加入用于合成MFI沸石的包含结构导向剂的凝胶中，以在其上生长沸石或沸石类分子筛晶体。MFI沸石膜克服现有技术沸石膜的局限以最大化其可应用性。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 负载 具有 可变 厚度 均一 取向 mfi 沸石膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备b-取向MFI沸石膜的方法，所述方法包括：(a)在基材上形成或附着沸石或沸石类分子筛晶种，和(b)将接种后的基材加入用于合成MFI沸石的包含结构导向剂的凝胶中，以在其上生长沸石或沸石类分子筛晶体。
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