[发明专利]制备半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种能够通过降低金属硅化物层的电特性的变化提高半导体元件的可靠性及其成品收率的技术。在半导体基板1上形成镍-铂合金膜后，通过使用加热器加热装置在210-310℃的热处理温度下进行第一热处理，该技术使得镍-铂合金膜与硅相互反应以形成(PtNi)₂Si相的加铂硅化镍层。随后，在除去未反应的镍-铂合金膜后，该技术进行热处理温度高于第一热处理的第二热处理以形成PtNiSi相的加铂硅化镍层。第一热处理的升温速率设置为10℃/s或更高(例如，30-250℃/s)且第二热处理的升温速率设置为10℃/s或更高(例如，10-250℃/s)。

主权项

1、一种制备半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)准备由单晶硅制成的半导体基板；(b)在所述半导体基板上形成半导体区域；(c)在包括半导体区域的所述半导体基板上形成镍和铂的合金膜；(d)通过进行第一热处理以使所述合金膜和所述半导体区域相互反应而形成(PtNi)2Si相的加铂硅化镍层；(e)在步骤(d)之后，除去所述半导体区域上(PtNi)2Si相加铂硅化镍层上的未反应合金膜；及(f)在步骤(e)之后，以高于所述第一热处理的温度的热处理温度进行第二热处理以形成PtNiSi相的加铂硅化镍层，其中步骤(d)中所述第一热处理的升温速率为10℃/s或更高；和其中步骤(f)中所述第二热处理的升温速率为10℃/s或更高。