[发明专利]研磨剂、基片的研磨法和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810183028.8 | 申请日： | 1998-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101423747A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 吉田诚人;芦沢寅之助;寺崎裕樹;大槻裕人;仓田靖;松沢纯;丹野清仁 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟 晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨剂 研磨 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种研磨剂，用于研磨形成有SiO2绝缘膜的基板，其特征在于：其是含有把磨粒分散到介质中去的浆液的研磨剂，所述磨粒是具有气孔的磨粒。
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