[发明专利]一种光电衬底上的高约束波导有效
| 申请号： | 200810183546.X | 申请日： | 2008-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101620296A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 大卫·J.·多尔蒂;卡尔·基萨 | 申请（专利权）人： | JDS尤尼弗思公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/42;G02F1/035 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郑小粤 |
| 地址： | 美国加利福尼亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光学器件，所述光学器件包括位于光电衬底(如铌酸锂)上的被光耦合至光电衬底中的波导的无源高约束波导(如以富硅氮化硅材料制成)。此高约束波导结构可以实现多种光电器件，包括：定向耦合器、紧凑型抽头耦合器、折叠式光电器件、包括环形谐振腔的光电调制器、光电光栅。本发明实现的进一步应用还包括集成有光电有源波导的混合无源平面光波回路(PLC)，其采用该高约束波导作为在无源与有源部件之间传递光功率的中间波导。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 衬底 约束 波导 | ||
【主权项】：
1.一种高约束波导结构，其包括：折射率为ns的光电衬底；光波导，其位于所述光电衬底内，所述光波导的折射率nw大于ns；高约束波导，其位于所述光电衬底上，所述高约束波导被光耦合至所述光波导，所述高约束波导的折射率nc大于ns，以使所述光电衬底可在所述高约束波导内引发全内反射，而大于nw的折射率nc将使当所述高约束波导与所述光波导接触时大部分光功率由所述光波导耦合至所述高约束波导。
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