[发明专利]氮化物半导体激光器的制造方法无效
| 申请号： | 200810183988.4 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101465518A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 铃木洋介;中川康幸;臧本恭介;白滨武郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/10;H01S5/223 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;王丹昕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供减小在谐振器端面上形成的氮化物电介质膜的应力，并减少在形成氮化物电介质膜时产生的对谐振器端面的损伤的、可靠性高的氮化物半导体激光器的制造方法。本发明的氮化物半导体激光器的制造方法，是采用氮化物III-V族半导体的氮化物半导体激光器的制造方法，其特征在于包括：(a)利用由氮气组成的等离子体，在光出射侧谐振器端面(20)和光反射侧谐振器端面(23)上形成由氮化物电介质构成的密着层(21、24)的工序；以及(b)在密着层(21、24)上形成由电介质构成的低反射端面镀膜(22)和高反射端面镀膜(25)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体激光器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种采用了氮化物III-V族半导体的氮化物半导体激光器的制造方法，其特征在于包括：(a)利用由氮气组成的等离子体，在谐振器端面(20、23)上形成由氮化物电介质构成的密着层(21、24)的工序；以及(b)在所述密着层(21、24)上形成由电介质构成的镀膜(22、25)的工序。
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