[发明专利]用于分析读取失败的半导体存储设备和该设备的操作方法无效
| 申请号： | 200810184193.5 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101465152A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 曹成奎 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C29/00;G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李芳华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了半导体存储设备，包括：非易失性存储器，其包括多个存储单元；和存储器控制器，被配置成控制所述非易失性存储器的至少一些操作。所述存储器控制器包括纠错单元。而且，所述存储器控制器被配置成至少部分基于所述纠错单元的输出，而确定在所述多个存储单元中的第一存储单元的读操作期间发生的读取失败是否由于电荷泄漏。还公开了相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 分析 读取 失败 半导体 存储 设备 操作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体存储设备，包括：非易失性存储器，包括多个存储单元；和存储器控制器，被配置成控制所述非易失性存储器的至少一些操作，所述存储器控制器包括纠错单元；其中所述存储器控制器被配置成：至少部分基于所述纠错单元的输出，来确定在所述多个存储单元中的第一存储单元的读操作期间发生的读取失败是否由于电荷泄漏。
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