[发明专利]制备高致密结构多晶硅的改进方法和装置无效
| 申请号： | 200810184199.2 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101748482A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘逸枫;崔树玉;陈其国;钟真武;王燕;蒋文武 | 申请（专利权）人： | 江苏中能硅业科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C01B33/03 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 范晓斌;王刚 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种制备高致密结构多晶硅的改进方法和装置，该方法包括：a)抽空还原炉内的空气，以氮气置换数次，启动还原炉；b)通过外部加热装置将三氯氢硅汽化加热，并与氢气以摩尔比1∶3-17的比例混合均匀；c)将三氯氢硅和氢气混合的原料气加入反应器，可以是从上下两处进气口同时供入原料气；也可以从上下两处进气口交替供入原料气；还可以是反应初期从上下两处进气口交替供入原料气，反应中后期同时供入原料气，发生还原反应。该装置在还原炉上下均设有进气口。本发明可改善进料气的湍流流动，减小或消除边界层效应，减少结构夹层的形成，使还原生成的多晶硅以致密、均匀的形态沉积，提高多晶硅的生长质量，同时还可减少原料消耗，提高原料的转化率，增加产率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 致密 结构 多晶 改进 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种制备多晶硅的方法，所述方法是改进的西门子法，其特征在于，进料气体分别通过还原炉上部和下部设置的进气口供入还原炉中，形成供多晶硅沉积的湍流分布。
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