[发明专利]与非闪存设备及其编程方法有效
| 申请号： | 200810184262.2 | 申请日： | 2008-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101430934A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 李昌炫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种NAND闪存设备及其编程方法。NAND闪存设备可以包括包含多个页的单元阵列；存储页的编程数据的页缓冲器；提供编程验证数据到页缓冲器的数据存储电路；以及控制单元。控制单元可以在编程了至少两页之后使用编程验证数据编程页并且验证页。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 设备 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1、一种NAND闪存设备，包括：单元阵列，包含多个页；页缓冲器，存储页的编程数据；数据存储电路，为所述页缓冲器提供编程验证数据；以及控制单元，编程页并且在编程了至少两页之后使用编程验证数据验证页。
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