[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810184313.1 | 申请日： | 2008-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101452906A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;桑原秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于在一个母玻璃衬底的所希望的部分中分别提供精密地使其侧面角度为不同的布线，而不增加工序。通过使用多级灰度掩模，形成具有截面积向一个母玻璃衬底离开的方向逐渐地减少的锥形的光抗蚀剂层。当形成一个布线之际，通过使用一个光掩模并对金属膜选择性地进行蚀刻，获得侧面形状(具体而言，相对于衬底主平面的角度)根据地方而不同的一个布线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底上的半导体层；以及其一部分与所述半导体层重叠的布线，所述布线包括布线侧部的宽度大的区域和布线侧部的宽度小的区域，并且，所述布线侧部的宽度大的区域与所述半导体层的至少一部分重叠，并且所述布线侧部的宽度大的区域的布线宽度方向截面的侧面角度比所述布线侧部的宽度小的区域的布线宽度方向截面的侧面角度小10°以上。
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