[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200810184352.1 | 申请日： | 2008-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101459159A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 小野笃树 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件具有：形成在衬底上的电熔丝，该电熔丝具有第一互连和第二互连以及通孔，所述第一互连和第二互连分别形成在不同层中，所述通孔提供在第一互连和第二互连之间的层中、连接到第二互连的一端以及还连接到第一互连；以及保护互连部分，与第二互连形成在同一层中，以便包围第二互连的所述一端，其中，在平视图中，第二互连形成为从另一端向所述一端延伸，并且保护互连部分形成为在三个方向上包围第二互连的所述一端，同时将所述一端设置在保护互连部分的中心。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括：衬底；形成在所述衬底上的电熔丝，该电熔丝具有第一互连、第二互连以及提供在所述第一互连和所述第二互连之间的通孔，所述第一互连和所述第二互连分别形成在不同层中，所述通孔连接到所述第二互连的一端并且还连接到所述第一互连；以及保护互连部分，与所述第二互连形成在同一层中，以便包围所述第二互连的所述一端，其中，在平视图中，所述第二互连形成为从另一端向所述一端延伸，并且所述保护互连部分形成为在三个方向上包围所述第二互连的所述一端，同时将所述一端设置在所述保护互连部分的中心。
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