[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810184365.9 | 申请日： | 2008-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101459199A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 朴真河 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一聚合层，位于半导体衬底上方；IPD层，位于该第一聚合层上方；第二聚合层，位于该IPD上方；氧化物层，位于该第二聚合层的侧壁上；第一绝缘层，位于该氧化物层的侧壁上；以及第二绝缘层，位于该第一绝缘层的侧壁上。本发明可以减小硬掩模图案的厚度，可以确保自由度，使得可以缩短用于蚀刻工艺所需的时间，并且可以有效地防止破坏IPD层和隧道氧化物层。因此，可以确保稳定的耦合率以提高单元特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种装置，包括：第一聚合层，位于半导体衬底上方；内部聚合介电层，位于该第一聚合层上方；第二聚合层，位于该内部聚合介电层上方；氧化物层，位于该第二聚合层的侧壁上；第一绝缘层，位于该氧化物层的侧壁上；以及第二绝缘层，位于该第一绝缘层的侧壁上。
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