[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 200810184987.1 | 申请日: | 2008-12-18 |
公开(公告)号: | CN101465356A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | 原田博文 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 何欣亭;王忠忠 |
地址: | 日本千叶*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明“半导体装置”具有不易受到由半导体制造工序的影响而产生的变动,由电阻值变动小的稳定的多晶硅电阻体构成的电阻电路。为此,在由构成电阻电路的多晶硅电阻体构成的多个电阻群上分别形成金属电极,将该金属电极经由别的布线层连接到电阻体的一端,从而可防止金属电极受到的半导体工序的外部影响直接作用在电阻体上,以抑制电阻值偏差。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体装置,其特征在于设有:半导体衬底;配置在所述半导体衬底上的第1绝缘膜;配置在所述第1绝缘膜上的、由多晶硅构成的电阻体;离开所述电阻体而形成的布线层;配置在所述电阻体和所述布线层上的第2绝缘膜;在所述第2绝缘膜的设于所述电阻体一端上的第1接触孔和设于所述布线层上的第2接触孔之间连接的第1金属布线;所述第2绝缘膜的设于所述电阻体另一端上的第3接触孔;以及覆盖分别设于所述电阻体的两端的所述第1和所述第3接触孔之间的区域,并与所述布线层上的第4接触孔连接的第2金属布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的