[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 200810184987.1 申请日: 2008-12-18
公开(公告)号: CN101465356A 公开(公告)日: 2009-06-24
发明(设计)人: 原田博文 申请(专利权)人: 精工电子有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/522
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 何欣亭;王忠忠
地址: 日本千叶*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明“半导体装置”具有不易受到由半导体制造工序的影响而产生的变动,由电阻值变动小的稳定的多晶硅电阻体构成的电阻电路。为此,在由构成电阻电路的多晶硅电阻体构成的多个电阻群上分别形成金属电极,将该金属电极经由别的布线层连接到电阻体的一端,从而可防止金属电极受到的半导体工序的外部影响直接作用在电阻体上,以抑制电阻值偏差。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1. 一种半导体装置,其特征在于设有:半导体衬底;配置在所述半导体衬底上的第1绝缘膜;配置在所述第1绝缘膜上的、由多晶硅构成的电阻体;离开所述电阻体而形成的布线层;配置在所述电阻体和所述布线层上的第2绝缘膜;在所述第2绝缘膜的设于所述电阻体一端上的第1接触孔和设于所述布线层上的第2接触孔之间连接的第1金属布线;所述第2绝缘膜的设于所述电阻体另一端上的第3接触孔;以及覆盖分别设于所述电阻体的两端的所述第1和所述第3接触孔之间的区域,并与所述布线层上的第4接触孔连接的第2金属布线。
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