[发明专利]显示装置有效
申请号: | 200810185171.0 | 申请日: | 2007-01-10 |
公开(公告)号: | CN101452174B | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 濑川泰生;小野木智英 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 马高平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种显示装置,目的在于减低因背光源或外光而造成像素的TFT的泄漏电流,且提高液晶显示装置的显示画质。其技术方案是在第1衬底(100)上具备多个像素,而各像素具备:经由栅极绝缘膜(11)而与半导体层(10)交叉的栅极线(20);经由第1接触孔(C1)连接在漏极区域(10d),用于覆盖从交叉部延伸的半导体层(10)的上方的漏极线(17);以及经由第2接触孔(C2)而连接在源极区域(10s),用于覆盖从交叉部延伸的半导体层(10)的上方而形成的源极电极(18)。而且,具备经由缓冲膜(13)形成在半导体层(10)的下方,用于遮住入射至半导体层(10)的光的遮光层(12)。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
【主权项】:
一种显示装置,其特征在于:在第1衬底上具备像素,而上述像素具备:半导体层,弯曲成U字形:栅极线,经由栅极绝缘膜而与上述半导体层在第1及第2交叉部交叉;漏极线,经由第1接触孔连接在上述半导体层的漏极区域,而覆盖从上述第1交叉部延伸的半导体层的上方而形成;源极电极,经由第2接触孔而连接在上述半导体层的源极区域,而覆盖从上述第2交叉部延伸的半导体层的上方而形成;遮光层,经由缓冲膜形成在上述第1及第2交叉部的半导体层的下方,而遮住入射至上述半导体层的光;电容线,经由上述栅极绝缘膜而形成在上述半导体层上;及像素电极,连接在上述源极电极,其中,上述源极区域及漏极区域分别由低浓度区域及高浓度区域所构成,而上述遮光层覆盖上述低浓度区域的全体,进而从上述低浓度区域的端缘覆盖上述高浓度区域2μm以上而形成。
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