[发明专利]具有一对磁性层的CPP型磁阻效应元件无效
| 申请号： | 200810185252.0 | 申请日： | 2008-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101478028A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 土屋芳弘;原晋治;水野友人;三浦聪;柳泽卓己 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11B5/31;G11B5/39 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王 旭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供磁阻效应元件，薄膜磁头，滑触头，晶片，磁头万向节组件和硬盘驱动器。磁阻效应元件包含：一对磁性层，在所述磁性层的磁化方向之间形成根据外磁场变化的相对角；以及结晶隔体层，所述结晶隔体层夹在所述一对磁性层之间；其中感应电流可以在垂直于所述一对磁性层和所述隔体层的膜平面的方向上流动；其中所述隔体层包含结晶氧化物；并且磁化方向根据外磁场变化的磁性层的一个或两个具有层结构，其中CoFeB层夹在CoFe层和NiFe层之间，并且位于所述隔体层和所述NiFe层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 一对 磁性 cpp 磁阻 效应 元件 | ||
【主权项】：
1. 一种磁阻效应元件，其包含：一对磁性层，在所述磁性层的磁化方向之间形成根据外磁场变化的相对角；以及结晶隔体层，所述结晶隔体层夹在所述一对磁性层之间；其中感应电流可以在垂直于所述一对磁性层和所述隔体层的膜平面的方向上流动；其中所述隔体层包含结晶氧化物；并且其中磁化方向根据外磁场变化的磁性层的一个或两个具有其中CoFeB层夹在CoFe层和NiFe层之间并且位于所述隔体层和所述NiFe层之间的层结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社，未经TDK株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810185252.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于车辆的分形天线
- 下一篇：液晶显示器件的阵列基板
