[发明专利]用于单电压供电CMOS的开漏输出缓冲器无效

专利信息
申请号: 200810185387.7 申请日: 2008-12-11
公开(公告)号: CN101471654A 公开(公告)日: 2009-07-01
发明(设计)人: 熊·法姆·勒 申请(专利权)人: 埃克萨公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;H03K19/0185;H01L27/02
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人: 余 朦;王艳春
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 开漏输出缓冲器可操作以承受应用于输出垫片的相对较高的电压。开漏缓冲器包括多个浮阱、输出开关器件和相应的阱偏压选择器,以确保栅氧化层不会承受大于预定值的电压。PMOS和NMOS阱偏压选择器操作以分别选择可用的最高或最低电压,并将其提供给偏压相应的阱区和确保器件开关端不会经受电过压。当输出相关端经受开关相关的电压偏移时,阱偏压选择器选择可选的端子以继续各自的可用的最高或最低电压选择并提供正确的阱偏压条件。分压器被并入以产生阱偏压控制电压。通过与最高电压的电连接,分压器产生参考电压来为浮阱引导阱偏压电压的适当选择。
搜索关键词: 用于 电压 供电 cmos 输出 缓冲器
【主权项】:
1. 一种设置在供电电压端和接地端之间的输出缓冲器,所述输出缓冲器包括:多个晶体管,所述多个晶体管被连接至输出垫片,并被配置为将所述输出垫片电连接至所述接地端;多个阱偏压选择器,所述多个阱偏压选择器中的每个均被连接至多个浮阱中与之相关的一个浮阱,被配置为选择各自的反向阱偏压并将所选的反向阱偏压提供给所述与之相关的一个浮阱;以及多个分压器,所述多个分压器中的每个均被连接至所述多个阱偏压选择器中与之相关的一个阱偏压选择器,并且被配置为产生各自的阱偏压参考电压。
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