[发明专利]高电压应力测试电路无效
申请号: | 200810185661.0 | 申请日: | 2008-12-19 |
公开(公告)号: | CN101488467A | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | 全龙源 | 申请(专利权)人: | (株)提尔爱 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/28 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李 辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及高电压应力测试电路。一种高电压应力测试电路,包括:内部数据生成单元,其用于生成内部数据和反转内部数据;以及电平移位器,其用于接收内部数据和反转内部数据,并生成数字数据和反转数字数据。在正常模式下,内部数据和反转内部数据具有对应于输入数据的逻辑状态,而数字数据和反转数字数据具有对应于内部数据和反转内部数据的逻辑状态。在高电压应力测试模式下,内部数据和反转内部数据具有预定的逻辑状态,而与输入数据的逻辑状态无关;并且数字数据和反转数字数据具有预定的逻辑状态,而与内部数据的逻辑状态和反转内部数据的逻辑状态无关。 | ||
搜索关键词: | 电压 应力 测试 电路 | ||
【主权项】:
1. 一种高电压应力测试电路,该高电压应力测试电路包括:内部数据生成单元,其使用低电源电压作为上拉电压来生成内部数据和反转内部数据;以及电平移位器,其用于接收所述内部数据和所述反转内部数据,并且用于生成上拉电压被电平移位至高电源电压的数字数据和反转数字数据,其中,在正常模式下,所述内部数据和所述反转内部数据具有对应于输入数据的逻辑状态,在高电压应力测试模式下,所述内部数据和所述反转内部数据具有预定的逻辑状态,而与所述输入数据的逻辑状态无关,在所述正常模式下,所述数字数据和所述反转数字数据分别具有对应于所述内部数据和所述反转内部数据的逻辑状态,并且在所述高电压应力测试模式下,所述数字数据和所述反转数字数据具有预定的逻辑状态,而与所述内部数据的逻辑状态和所述反转内部数据的逻辑状态无关。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造