[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：在半导体衬底上形成螺旋形的金属导线；通过选择性地刻蚀第一介电膜来形成暴露部分金属导线的连接孔，其中该第一介电膜被形成用来掩埋金属导线，以及在第一介电膜上形成第一金属膜，其中在该第一介电膜上形成有连接孔；在第一金属膜上形成第二介电膜；在第二介电膜上形成第一光刻胶图样，其中该第一光刻胶图样用于形成与螺旋形的金属导线相对应的第二金属导线，以及通过使用第一光刻胶图样作为刻蚀掩膜来选择性地刻蚀第二介电膜和第一金属膜以形成第二金属导线；其中第二介电膜防止了对第二金属导线顶部的刻蚀，该刻蚀是由于第一光刻胶图样和第一金属膜之间的刻蚀速率不同而引起的。

主权项

1. 一种方法，包括：在半导体衬底上方形成螺旋形的第一金属导线；通过选择性地刻蚀第一介电膜来形成暴露部分所述第一金属导线的连接孔，其中所述第一介电膜被形成用来基本上掩埋所述第一金属导线；在所述第一介电膜上方形成第一金属膜，其中在所述第一介电膜中形成有所述连接孔；在所述第一金属膜上方形成第二介电膜；在所述第二介电膜上方形成第一光刻胶图样；以及然后通过使用所述第一光刻胶图样作为刻蚀掩膜来选择性地刻蚀所述第二介电膜和所述第一金属膜，以形成第二金属导线。