[发明专利]激光加工方法及半导体装置有效
| 申请号： | 200810185780.6 | 申请日： | 2005-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101434010A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 久野耕司;铃木达也;坂本刚志 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | B23K26/40 | 分类号： | B23K26/40;B28D1/22;C03B33/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以在加工对象物的内部沿着切断预定线的所希望的部分确实地形成改质区域的激光加工方法。在该激光加工方法中，将聚光点(P)对准于基板(4)的内部照射激光(L)，从而在基板(4)的内部沿切断预定线(5)形成成为切断起点的质量改质区域(71)。此时，沿切断预定线(5)的所希望的部分(RP)使激光(L)进行脉冲振荡，并沿切断预定线(5)的规定部分(RC)使激光(L)进行连续振荡。由此，在沿着切断预定线(5)的所希望部分(RP)的基板(4)的内部形成质量改质区域(71)，并且在沿着切断预定线(5)的规定部分RC的基板(4)的内部不形成质量改质区域(71)。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 加工 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种激光加工方法，其特征在于，通过对加工对象物照射激光，该加工对象物具有基板和形成在所述基板的表面并包含金属膜以及绝缘膜的层叠部，沿所述加工对象物的切断预定线在所述基板的内部形成成为切断起点的改质区域，以所述改质区域为切断的起点沿所述切断预定线切断所述加工对象物，在所述切断预定线横切所述金属膜的情况下，当形成第一改质区域作为所述改质区域时，在对应于所述金属膜以外的部分的所述切断预定线的第一部分形成所述第一改质区域，在对应于所述金属膜的所述切断预定线的第二部分不形成所述第一改质区域。
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