[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法

摘要

本发明提供一种不会因异常放电产生问题，并且能够解决因附着在电极上的反应生成物而引起的问题的平行平板型等离子体处理装置以及等离子体处理方法。等离子体处理装置(1)包括：收容基板(G)的处理腔室(2)；在处理腔室(2)内相对设置的下部电极(3)以及上部电极(20)；向下部电极(3)施加频率为10MHz以上的第一高频电功率的第一高频电源(14)；向下部电极(3)施加频率为2MHz以上小于10MHz的第二高频电功率的第二高频电源(17)；向第二电极(20)施加频率为400kHz以上1.6MHz以下的高频电功率的第三高频电源(33)；向处理腔室(2)内供给用于生成等离子体的处理气体的气体供给机构(28)；和对处理腔室(2)进行排气的排气机构(41)。

主权项

1. 一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板的处理室；在所述处理室内相对设置的第一电极以及第二电极；第一高频电功率施加单元，其向所述第一电极施加频率为10MHz以上的第一高频电功率；第二高频电功率施加单元，其向所述第一电极施加频率为2MHz以上小于10MHz的第二高频电功率；第三高频电功率施加单元，其向所述第二电极施加频率为400kHz以上1.6MHz以下的高频电功率；气体供给机构，其向所述处理室内供给用于生成等离子体的处理气体；和排气机构，其对所述处理室进行排气。