[发明专利]利用铂钯掺杂的SO2薄膜的多传感器及其制备方法

摘要

本发明提出了一种利用铂钯掺杂的SnO₂薄膜的多传感器及其制备方法，属于多传感器制造领域。本发明包括：Al₂O₃基片，铂钯掺杂的SnO₂薄膜，加热电极和金属测量电极；铂钯掺杂的SnO₂薄膜、加热电极和金属测量电极均固定在基片上，加热电极分布在铂钯掺杂的SnO₂薄膜周围，为传感器加热，金属测量电极与铂钯掺杂的SnO₂薄膜连接，供外界测量；本发明的可用于气敏多传感器的SnO₂薄膜，其具有不同微结构、不同气敏特性，可用于制备测量混合气体或单一气体的气敏多传感器，满足多传感器阵列对敏感材料的要求，对我国航天传感器的设计具有重要意义。

主权项

1. 一种利用铂钯掺杂的SnO2薄膜的多传感器，其特征在于：包括基片，铂钯掺杂的SnO2薄膜，加热电极和金属测量电极；铂钯掺杂的SnO2薄膜、加热电极和金属测量电极均固定在基片上，加热电极分布在铂钯掺杂的SnO2薄膜周围，为传感器加热，金属测量电极与铂钯掺杂的SnO2薄膜连接，供外界测量；其中基片为Al2O3，加热电极采用铂、银或铜中的任意一种，测量电极采用导电金属。