[发明专利]基于多级单元闪存的数据存储方法、装置有效
| 申请号： | 200810186548.4 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101763315A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 陈伟 | 申请（专利权）人： | 芯邦科技(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/08 | 分类号： | G06F12/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种基于多级单元闪存的数据存储方法、装置。该方法包括：从存储单元块内的每一个页对中获取一个页，所述存储单元块位于多级单元闪存中；根据从所述存储单元块中获取的页生成该存储单元块的页表；根据生成的所述页表将数据写入所述存储单元块。该装置包括：页获取模块、生成页表模块和数据写入模块。本发明实施例可以进一步提高多级单元闪存的数据写入速度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 多级 单元 闪存 数据 存储 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种基于多级单元闪存的数据存储方法，其特征在于，包括：从存储单元块内的每一个页对中获取一个页，所述存储单元块位于多级单元闪存中；根据从所述存储单元块中获取的页生成该存储单元块的页表；根据生成的所述页表将数据写入所述存储单元块。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯邦科技(深圳)有限公司，未经芯邦科技(深圳)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810186548.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子设备的插口
- 下一篇：LED灯的SOC照明管理芯片
