[发明专利]灰阶掩模坯料,灰阶掩模的制造方法和灰阶掩模及图案转写方法有效
申请号: | 200810186896.1 | 申请日: | 2008-09-27 |
公开(公告)号: | CN101458449A | 公开(公告)日: | 2009-06-17 |
发明(设计)人: | 佐野道明;井村和久;三井胜 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种灰阶掩模坯料,在根据部位选择性地降低对被转写体的曝光光的照射量,在被转写体上的光刻胶上形成包含残膜值不同的部分的期望转写图案的灰阶掩模的制造中使用,在透明基板上依次具有半透光膜和遮光膜,分别在该半透光膜和该遮光膜上实施规定的图案化,从而形成遮光部、透光部和半透光部,作为灰阶掩模。遮光膜在膜厚方向上的组成变化,降低对图案化时采用的绘制光的表面反射率,半透光膜对图案化时采用的绘制光的表面反射率调整为在面内不超过45%。 | ||
搜索关键词: | 灰阶掩模 坯料 制造 方法 图案 转写 | ||
【主权项】:
1、一种灰阶掩模坯料,在根据部位选择性地降低对被转写体的曝光光的照射量,在被转写体上的光刻胶上形成包含残膜值不同的部分的期望的转写图案的灰阶掩模的制造中使用,该灰阶掩模坯料在透明基板上依次具有半透光膜和遮光膜,分别在该半透光膜和该遮光膜上实施规定的图案化,从而形成遮光部、透光部和半透光部,形成灰阶掩模,所述遮光膜在膜厚方向上的组成变化,图案化时对在该遮光膜上形成的抗蚀膜进行图案曝光时采用的绘制光的表面反射率被降低,所述半透光膜在图案化时对在该半透光膜上形成的抗蚀膜进行图案曝光时采用的绘制光的表面反射率调整为在面内不超过45%。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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