[发明专利]制造高度氢化的嵌段共聚物的方法有效
| 申请号： | 200810187450.0 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101768229A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 高桓村;杨盛德;侯宏杰;蔡仲铭 | 申请（专利权）人： | 台橡股份有限公司 |
| 主分类号： | C08F8/04 | 分类号： | C08F8/04;C08F297/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造高度氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物的方法，所述乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物的氢化率大于90％。所得到的高度氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物具有适合应用于光盘、光学薄膜、导光板等领域的有利的物理性质。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 高度 氢化 共聚物 方法 | ||
【主权项】：
一种制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，包括：氢化由乙烯基芳香族聚合物嵌段与共轭二烯聚合物嵌段所组成的嵌段共聚物，通过将该嵌段共聚物在氢化催化剂的存在下与氢化剂接触而得到包含具有氢化率大于90％的氢化嵌段共聚物与溶剂的聚合物溶液；利用闪沸脱挥发法在处理温度介于200～300℃与处理压力介于1～10Bar的条件下移除该聚合物溶液中的该溶剂以得到浓缩的聚合物溶液，该浓缩的聚合物溶液具有的残余溶剂的含量占该浓缩的聚合物溶液的总重的1～50重量％；利用脱挥发机在压力小于100托的条件下而移除该浓缩的聚合物溶液中的该残余溶剂，以分离出该氢化嵌段共聚物。
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