[发明专利]化合物半导体磊芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 200810187928.X | 申请日： | 2008-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN101764054A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 林健峯 | 申请（专利权）人： | 宏远有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/324;H01L23/00;H01L33/00;H01L31/0248;H01L29/02;H01S5/00;C30B25/02;C30B30/00;C30B33/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国香港湾仔港湾道*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种化合物半导体磊芯片及其制造方法，首先在一金属基板上沉积一硅第一缓冲层，接着在其上沉积一化合物半导体第二缓冲层，接着在该化合物半导体第二缓冲层上沉积一化合物半导体第三缓冲层，再在该化合物半导体第三缓冲层上磊晶一化合物半导体第一磊晶层，然后施以第一次热处理程序，接着在该化合物半导体第一磊晶层上磊晶一化合物半导体第二磊晶层，然后再施以第二次热处理程序，由此得到良好晶体质量的化合物半导体磊芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体磊芯片的制造方法，其特征在于其包含以下步骤：在一金属基板上沉积一层硅薄膜以形成一硅第一缓冲层；在该硅第一缓冲层上沉积一层化合物半导体薄膜以形成一化合物半导体第二缓冲层；在该化合物半导体第二缓冲层上沉积一层化合物半导体薄膜以形成一化合物半导体第三缓冲层；在该化合物半导体第三缓冲层上磊晶一层化合物半导体薄膜以形成一化合物半导体第一磊晶层；施以一第一次热处理程序；在该化合物半导体第一磊晶层上磊晶一层化合物半导体薄膜以形成一化合物半导体第二磊晶层；以及施以一第二次热处理程序以完成一化合物半导体磊芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宏远有限公司，未经宏远有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810187928.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：DNA PK抑制剂
- 下一篇：黄酮类化合物或含其的植物提取物的应用
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
