[发明专利]预测MOS晶体管中的漏极电流的方法无效
| 申请号： | 200810188130.7 | 申请日： | 2008-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101471273A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 李恩真;高锡龙 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及一种预测漏极电流的方法，该方法通过使用具有三元算子的表达式在击穿区中对漏极电流进行建模，并将模拟出的漏极电流叠加到相关技术的基于BSIM3的建模方案的结果上，可以精确地预测线性区、饱和区以及击穿区中的漏极电流，其中，在击穿区中，当通过相关技术的基于BSIM3的建模方案来计算依赖于漏极电压的漏极电流时，可能产生不一致。 | ||
| 搜索关键词： | 预测 mos 晶体管 中的 电流 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种方法，包括：确定漏极电压是否高于指定的击穿电压；如果所述漏极电压等于或低于所述指定的击穿电压，则将漏极击穿电流设置为第一值；如果所述漏极电压高于所述指定的击穿电压，则将所述漏极击穿电流设置为第二值；以及然后将所述漏极击穿电流叠加到漏极电流上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司，未经东部高科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810188130.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造闪存器件的方法
- 下一篇：贯通型层叠电容器阵列
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
