[发明专利]微机电系统换能器和其制造方法无效
申请号: | 200810188488.X | 申请日: | 2008-12-26 |
公开(公告)号: | CN101468785A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 大村昌良;铃木民人;铃木幸俊 | 申请(专利权)人: | 雅马哈株式会社 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C5/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 葛 青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种MEMS换能器,包括:隔膜、板件、用于对二者之间具有由内壁围绕的间隙层的隔膜和板件进行支承的支承结构,用于覆盖形成在支承结构中的接触孔的电极膜(例如,垫式导电膜),以及在内壁之外形成在支承结构上以便覆盖具有低化学稳定性的电极膜侧表面的保护膜(例如,垫式保护膜)。保护膜形成在有限区域中,该有限区域包括电极膜除了其中心部分的一部分表面和电极膜的周围区域。这允许保护膜利用诸如氮化硅或氮化硅氧化物这样的高膜应力材料。 | ||
搜索关键词: | 微机 系统 换能器 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种微机电系统换能器,包括:具有导电性的隔膜;具有导电性的板件;支承结构,用于对二者之间具有间隙层的所述隔膜和所述板件进行支承,其中,所述支承结构具有围绕所述间隙层的内壁;具有导电性的电极膜,用于覆盖形成在所述支承结构中的接触孔;以及保护膜,在所述内壁之外形成在所述支承结构上,以便覆盖所述电极膜的侧表面,其中,与形成在所述隔膜和所述板件之间的静电电容的变化相对应的电信号经由所述电极膜输出。
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