[发明专利]半导体芯片及半导体装置有效
| 申请号： | 200810188505.X | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101499480A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 佐野光;富田佳宏;中野高宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体芯片及一种半导体装置。半导体芯片(10)包括基板(11)、形成在基板(11)的元件形成面一侧并具有多个半导体元件的集成电路(12)、形成在基板(11)中与多个半导体元件中的规定半导体元件(30)相对应的区域内的放热插塞(31)、以及形成在放热插塞(31)中除了放热插塞(31)的上端部以外的部分与基板(11)之间的第一绝缘膜(16)。放热插塞(31)由填充到在与元件形成面相反一侧的面上开口的非贯通孔内并且热导率高于基板(11)的热导率的材料形成，该放热插塞(31)的上端部与基板(11)接触。因此，能够实现从半导体基板的背面一侧高效地放热的半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体芯片，包括基板、形成在所述基板的元件形成面一侧并具有多个半导体元件的集成电路、以及形成在所述基板中与所述多个半导体元件中的规定半导体元件相对应的区域内的放热插塞，其特征在于：所述放热插塞由填充到在与所述元件形成面相反一侧的面上开口的非贯通孔内并且热导率高于所述基板的热导率的材料形成。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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