[发明专利]用于薄膜沉积的铜前体

摘要

本发明涉及用于薄膜沉积的铜前体，具体描述了无氟的铜前体，以及制备和使用相同前体的方法。在某些实例中，此处所描述的铜前体可以用作通过例如原子层沉积或者化学气相沉积条件来沉积铜膜或其合金至基底上的前体。

主权项

1、用于通过化学气相沉积或原子层沉积来沉积膜的铜前体，该前体由式(I)所表示：其中X选自于氧和NR⁵；其中R¹、R²、R³和R⁵各自独立地选自于氢原子；卤原子；具有NO₂结构的硝基；具有C_nH_2n+1结构的的烷基，其中n是从1到20的数字；具有(R⁶)₃Si分子式的烷基硅烷，其中R⁶各自独立地是包含1到20个碳原子的烷基、烷氧基、或酰胺；包含6到12个碳原子的芳香基；包含6到12个碳原子的烷基取代的芳香基；具有(CH₂)_nO(C_mH_2m+1)分子式的醚，其中n和m独立地是从1到20的数字；具有(R⁷)₃SiO分子式的甲硅烷基醚，其中R⁷各自独立地是包含1到20个碳原子的烷基或者包含6到12个碳原子的芳香基；包含1到20个碳原子的烷氧基；和包含1到20个碳原子的酰胺；其中R⁴是选自于具有C_nH_2n+1分子式的烷基，其中n是从1到20的数字；具有(R⁶)₃Si分子式的烷基硅烷，其中R⁶各自独立地是包含1到20个碳原子的烷基、烷氧基、或酰胺；包含6到12个碳原子的芳香基；包含6到12个碳原子的烷基取代的芳香基；具有(R⁷)₃SiO分子式的甲硅烷基醚，其中R⁷各自独立地是包含1到20个碳原子的烷基或者包含6到12个碳原子的芳香基；包含1到20个碳原子的烷氧基；和包含1到20个碳原子的酰胺，以及其中R⁴是通过去除氢、原子、或者基团与L结合；其中L是配体，选自于包含2到20个碳原子的烷基腈；具有(R⁸)₃SiCN分子式的甲硅烷基腈，其中R⁸各自独立地是包含1到20个碳原子的烷基、烷氧基或酰胺；包含1到20个碳原子的炔；具有(R⁹)₃SiCCR¹⁰分子式的甲硅烷基炔，其中R⁹各自独立地是包含1到20个碳原子的烷基、酰胺或烷氧基，以及R¹⁰是氢、包含1到20个碳原子的烷氧基、酰胺或烷基；具有(R¹¹)₃SiCCSi(R¹¹)₃分子式的甲硅烷基炔，其中R¹¹各自独立地是包含1到20个碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；包含1到20个碳原子的烯烃、二烯烃或三烯烃；具有(R¹²)₃SiCR¹³C(R¹³)₂分子式的甲硅烷基烯，其中R¹²各自独立地是包含1到20个碳原子的烷基、烷氧基、芳香基、乙烯基或酰胺，以及R¹³各自独立地是氢、包含1到20个碳原子的烷基、或包含6到12个碳原子的芳香基；具有(R¹⁴)₃SiCR¹³CR¹³Si(R¹⁴)₃分子式的二甲硅烷基烯，其中R¹⁴各自独立地是包含1到20个碳原子的烷基、烷氧基或酰胺，以及R¹³各自独立地是氢原子或包含1到20个碳原子的烷基；包含3到20个碳原子的丙二烯衍生物；具有(R¹⁵)₂CCC(R¹⁵)₂分子式的丙二烯衍生物，其中R¹⁵各自独立地是氢原子或具有(R¹⁶)₃Si分子式的烷基硅烷，其中R¹⁶各自独立地是包含1到20个碳原子的烷基、酰胺、或烷氧基；具有R¹⁷NC分子式的烷基异氰，其中R¹⁷是包含1到20个碳原子的烷基；具有(R¹⁸)₃SiNC分子式的甲硅烷基异氰，其中R¹⁸各自独立地是包含1到20个碳原子的烷基；和包含6到12个碳原子的芳香基，以及其中L是通过去除氢、原子、或者基团与R4结合；其中在M和L之间的有机金属键选自于2个单键和1个单键。