[发明专利]有机发光显示器的制造方法有效
| 申请号： | 200810188768.0 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101477965A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 俞忠根;金慜基 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种有机发光显示器的制造方法，该制造方法包括以下步骤：在目标基板上形成第一电极，并且形成包括将所述第一电极露出的开口区的堤坝层；粘接所述目标基板和中间基板，该中间基板与所述目标基板的顶部相对地隔开并且具有在其上顺序设置的有机材料层、吸收层、反射层以及施主基板；通过将激光照射到所述中间基板上而将有机材料层转移到所述堤坝层内露出的所述第一电极上，由此形成有机发光层；以及将所述目标基板和所述中间基板彼此分离，并且在形成在所述目标基板上的所述有机发光层上形成第二电极，其中所述吸收层的反射率低于所述反射层的反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 发光 显示器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种有机发光显示器的制造方法，该制造方法包括以下步骤：在目标基板上形成第一电极，并且形成包括将所述第一电极露出的开口区的堤坝层；粘接所述目标基板和中间基板，该中间基板与所述目标基板的顶部相对地隔开并且具有在其上顺序设置的有机材料层、吸收层、反射层以及施主基板；通过将激光照射到所述中间基板上而将有机材料层转移到所述堤坝层内露出的所述第一电极上，由此形成有机发光层；以及将所述目标基板和所述中间基板彼此分离，并且在形成在所述目标基板上的所述有机发光层上形成第二电极，其中所述吸收层的反射率低于所述反射层的反射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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