[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810188812.8 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101471370A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 沈喜成;金升炫;黄俊;金光洙;韩镇洙 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱 胜;王 萍 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例涉及图像传感器及其制造方法。根据实施例，图像传感器包括：电路、第一衬底、光电二极管、金属互联件以及电学结区域。电路和金属互联件可以在第一衬底上面和/或上方形成。光电二极管可以与金属互联件接触，并可以在第一衬底上面和/或上方形成。电路可以包括在第一衬底上面和/或上方的电学结区域，以及在电学结区域上面和/或上方并与金属互联件相连接的第一传导型区域。根据实施例，图像传感器及其制造方法可以提供电路和光电二极管的竖直结合。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种器件，包括：第一衬底；在第一衬底上的包括金属互联件的电路；以及与第一衬底上的金属互联件接触的光电二极管，其中所述电路包括在第一衬底上的电学结区域，以及在该电学结区域上、并与金属互联件相连接的第一传导型区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
