[发明专利]热辅助磁头及其制造方法无效
申请号: | 200810188837.8 | 申请日: | 2008-12-26 |
公开(公告)号: | CN101471075A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 小村英嗣;岛泽幸司;田中浩介;高山清市;羽立等 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种热辅助磁头,其特征在于,如果向第1及第2近场光发生部照射激光等能量线,则在两个近场光发生部的前端发生近场光。利用发生的近场光,加热与介质相对面相对的磁记录介质,使磁记录介质的矫顽力降低。由于主磁极的至少一部分位于包含第1及第2近场光发生部之间的区域的光斑区域内,因此,两个近场光发生部的前端和主磁极非常接近,可以进行高密度的记录。 | ||
搜索关键词: | 辅助 磁头 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种热辅助磁头,其特征在于,具备:在介质相对面上间隔地配置的第1及第2近场光发生部;和至少其一部分位于所述第1及第2近场光发生部之间的主磁极。
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