[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：在衬底中形成第一导电类型掩埋层；在第一导电类型掩埋层上形成第一导电类型漂移区；通过选择性去除第一导电类型漂移区形成栅极绝缘层和栅电极；在衬底和栅电极上形成第一氧化物层；将第二导电类型杂质离子注入到衬底中；在第一氧化物层上形成氮化物层；通过扩散第二导电类型杂质离子形成第二导电类型阱，且形成第二氧化物层；去除氮化物层、第二氧化物层和部分第一氧化物层；在栅电极的侧部形成第一导电类型源极区；在氧化物层上形成介电层；在介电层和氧化物层中形成沟槽；在沟槽中形成源极接触件；以及形成漏极。

主权项

1. 一种半导体器件的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：在半导体衬底中形成第一导电类型掩埋层，并在所述第一导电类型掩埋层上形成第一导电类型漂移区；通过选择性去除所述第一导电类型漂移区形成栅极绝缘层和栅电极；在包括所述栅电极的半导体衬底上形成第一氧化物层；将第二导电类型杂质离子注入到包括所述第一氧化物层的半导体衬底中；在所述第一氧化物层上形成氮化物层；通过扩散所述第二导电类型杂质离子形成第二导电类型阱，且同时在所述氮化物层上形成第二氧化物层；从所述第一氧化物层去除所述氮化物层和所述第二氧化物层；通过部分地去除所述第一氧化物层形成薄氧化物层；在每个栅电极的侧部形成第一导电类型源极区；在所述薄氧化物层上形成介电层；通过选择性蚀刻所述介电层和所述薄氧化物层形成沟槽；在所述沟槽中形成源极接触件；以及形成与所述第一导电类型掩埋层电连接的漏电极层。