[发明专利]集成电路器件有效
| 申请号： | 200810189692.3 | 申请日： | 2005-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101452931A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 大洼宏明;菊田邦子;中柴康隆;川原尚由;村濑宽;小田直树;佐佐木得人;伊藤信和 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/04;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置，于是温度监视部件被连接在两条布线之间。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：绝缘层；形成在所述绝缘层内的插头；与所述插头电连接的温度监视部件；与所述温度监视部件电连接的电阻元件；介于所述插头和所述温度监视部件之间的衬垫；其中通过所述温度监视部件和所述电阻元件的电流在所述半导体器件中的所述温度监视部件的位置处提供局部温度指示。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
