[发明专利]半导体装置的制造方法无效

申请号：	200810190204.0	申请日：	2008-12-26
公开（公告）号：	CN101471249A	公开（公告）日：	2009-07-01
发明（设计）人：	松泽勇介	申请（专利权）人：	精工爱普生株式会社
主分类号：	H01L21/20	分类号：	H01L21/20;H01L21/335;H01L21/762;H01L21/84
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司	代理人：	李贵亮
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明提供一种可以实现使电子的迁移率提高的SBSI器件的半导体装置的制造方法。其包括：在Si基板(1)上形成SiGe层的工序、在SiGe层上形成Si层(5)的工序、对Si层(5)以及SiGe层进行蚀刻而形成贯通Si层(5)以及SiGe层的支承体孔(h)的工序、在支承体孔(h)上形成支承体(11)的工序、对Si层(5)进行蚀刻而形成使SiGe层露出的沟槽(纸面的前侧和后侧)的工序、通过借助所述沟槽对SiGe层进行蚀刻而在Si层(5)和Si基板(1)之间形成空洞部(21)的工序、在空洞部(21)形成a-Si膜(25)的工序、和对a-Si膜(25)进行热氧化形成SiO₂膜(27)的工序。
搜索关键词：	半导体装置制造方法
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【主权项】：

1. 一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板上形成第一半导体层的工序；在所述第一半导体层上形成第二半导体层的工序；对所述第二半导体层以及所述第一半导体层进行蚀刻，从而形成贯通所述第二半导体层以及所述第一半导体层的第一沟槽的工序；在所述第一沟槽内形成支承体的工序；对所述第二半导体层进行蚀刻，从而形成使所述第一半导体层露出的第二沟槽的工序；通过借助所述第二沟槽对所述第一半导体层进行蚀刻，从而在所述第二半导体层和所述半导体基板之间形成空洞部的工序；在所述空洞部内形成半导体膜的工序；和对所述半导体膜进行热氧化的工序。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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